Littelfuse NGB8207ABNT4G IGBT, 50 A 365 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 805-1753Бренд: LittelfuseПарт-номер производителя: NGB8207ABNT4G
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Littelfuse

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

365 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±15V

Максимальное рассеяние мощности

165 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.29 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать

тг 3 397,20

тг 679,44 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Littelfuse NGB8207ABNT4G IGBT, 50 A 365 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 397,20
10тг 6 794,40
15тг 10 191,60
20тг 13 588,80
25тг 16 986,00
30тг 20 383,20
35тг 23 780,40
40тг 27 177,60
45тг 30 574,80
50тг 27 714,00
55тг 30 485,40
60тг 33 256,80
65тг 36 028,20
70тг 38 799,60
75тг 41 571,00

тг 3 397,20

тг 679,44 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Littelfuse NGB8207ABNT4G IGBT, 50 A 365 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 397,20
10тг 6 794,40
15тг 10 191,60
20тг 13 588,80
25тг 16 986,00
30тг 20 383,20
35тг 23 780,40
40тг 27 177,60
45тг 30 574,80
50тг 27 714,00
55тг 30 485,40
60тг 33 256,80
65тг 36 028,20
70тг 38 799,60
75тг 41 571,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 679,44тг 3 397,20
50 - 95тг 554,28тг 2 771,40
100 - 245тг 455,94тг 2 279,70
250 - 495тг 447,00тг 2 235,00
500+тг 388,89тг 1 944,45
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Littelfuse

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

365 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±15V

Максимальное рассеяние мощности

165 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.29 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать