Техническая документация
Характеристики
Brand
LittelfuseМаксимальный непрерывный ток коллектора
460 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
1,4 кВт
Тип корпуса
Модуль 62MM
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
108 x 62 x 30.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
IGBT Modules, Littelfuse
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 51 892,23
Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 51 892,23
Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | тг 51 892,23 |
10 - 49 | тг 51 436,29 |
50+ | тг 50 426,07 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
LittelfuseМаксимальный непрерывный ток коллектора
460 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
1,4 кВт
Тип корпуса
Модуль 62MM
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
108 x 62 x 30.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
IGBT Modules, Littelfuse
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.