IXYS MUBW50-06A7 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 600 V, 23-Pin, PCB Mount

Код товара RS: 146-1698Бренд: IXYSПарт-номер производителя: MUBW50-06A7
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный непрерывный ток коллектора

75 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Конфигурация

3-фазный мост

Тип монтажа

Монтаж на печатную плату

Тип канала

N

Число контактов

23

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Размеры

107.5 x 45 x 17мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Информация о товаре

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS MUBW50-06A7 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 600 V, 23-Pin, PCB Mount

6

Доступно в кратности 6
6P.O.A.
12P.O.A.
18P.O.A.
24P.O.A.
30P.O.A.
36P.O.A.
42P.O.A.
48P.O.A.
54P.O.A.
60P.O.A.
66P.O.A.
72P.O.A.
78P.O.A.
84P.O.A.
90P.O.A.

P.O.A.

IXYS MUBW50-06A7 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 600 V, 23-Pin, PCB Mount
Информация о наличии не успела загрузиться

6

Доступно в кратности 6
6P.O.A.
12P.O.A.
18P.O.A.
24P.O.A.
30P.O.A.
36P.O.A.
42P.O.A.
48P.O.A.
54P.O.A.
60P.O.A.
66P.O.A.
72P.O.A.
78P.O.A.
84P.O.A.
90P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный непрерывный ток коллектора

75 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Конфигурация

3-фазный мост

Тип монтажа

Монтаж на печатную плату

Тип канала

N

Число контактов

23

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Размеры

107.5 x 45 x 17мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Информация о товаре

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.