Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
650 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 кВт
Тип корпуса
SimBus F
Конфигурация
Двойной
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
11
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
152 x 62 x 17мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3
P.O.A.
3
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
650 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 кВт
Тип корпуса
SimBus F
Конфигурация
Двойной
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
11
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
152 x 62 x 17мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.