IXYS MII100-12A3 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
135 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
Y4 M5
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
94 x 34 x 30мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 29 926,65
Each (ex VAT)
1
тг 29 926,65
Each (ex VAT)
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 29 926,65 |
| 2 - 4 | тг 29 350,02 |
| 5 - 9 | тг 28 782,33 |
| 10 - 19 | тг 27 606,72 |
| 20+ | тг 27 074,79 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
135 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
Y4 M5
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
94 x 34 x 30мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.