IXYS MID75-12A3 Модуль IGBT

Код товара RS: 193-521Бренд: IXYSПарт-номер производителя: MID75-12A3
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный непрерывный ток коллектора

90 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

Y4 M5

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Монтаж на панель

Тип канала

N

Число контактов

7

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

94 x 34 x 30мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 18 903,63

тг 18 903,63 Each (ex VAT)

IXYS MID75-12A3 Модуль IGBT

1

Доступно в кратности 1
1тг 18 903,63
2тг 35 885,16
3тг 53 827,74
4тг 71 770,32
5тг 84 974,70
6тг 101 969,64
7тг 118 964,58
8тг 135 959,52
9тг 152 954,46
10тг 166 462,80
11тг 183 109,08
12тг 199 755,36
13тг 216 401,64
14тг 233 047,92
15тг 249 694,20

тг 18 903,63

тг 18 903,63 Each (ex VAT)

IXYS MID75-12A3 Модуль IGBT

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1тг 18 903,63
2тг 35 885,16
3тг 53 827,74
4тг 71 770,32
5тг 84 974,70
6тг 101 969,64
7тг 118 964,58
8тг 135 959,52
9тг 152 954,46
10тг 166 462,80
11тг 183 109,08
12тг 199 755,36
13тг 216 401,64
14тг 233 047,92
15тг 249 694,20

КоличествоЦена единицы
1 - 1тг 18 903,63
2 - 4тг 17 942,58
5 - 9тг 16 994,94
10 - 19тг 16 646,28
20+тг 16 100,94

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный непрерывный ток коллектора

90 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

Y4 M5

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Монтаж на панель

Тип канала

N

Число контактов

7

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

94 x 34 x 30мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.