IXYS MDI75-12A3, Type N-Channel Single IGBT Module, 7-Pin Y4-M5

Код товара RS: 168-4497Бренд: IXYSПарт-номер производителя: MDI75-12A3
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип продукции

Модуль IGBT

Конфигурация

Одиночный

Корпус

Y4-M5

Тип канала

Тип N

Число контактов

7

Минимальная рабочая температура

-40°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

34 mm

Длина

94мм

Материал каски/сварочной маски

30мм

Информация о товаре

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS MDI75-12A3, Type N-Channel Single IGBT Module, 7-Pin Y4-M5

1

Доступно в кратности 6
1P.O.A.
7P.O.A.
13P.O.A.
19P.O.A.
25P.O.A.
31P.O.A.
37P.O.A.
43P.O.A.
49P.O.A.
55P.O.A.
61P.O.A.
67P.O.A.
73P.O.A.
79P.O.A.
85P.O.A.

P.O.A.

IXYS MDI75-12A3, Type N-Channel Single IGBT Module, 7-Pin Y4-M5

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 6
1P.O.A.
7P.O.A.
13P.O.A.
19P.O.A.
25P.O.A.
31P.O.A.
37P.O.A.
43P.O.A.
49P.O.A.
55P.O.A.
61P.O.A.
67P.O.A.
73P.O.A.
79P.O.A.
85P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип продукции

Модуль IGBT

Конфигурация

Одиночный

Корпус

Y4-M5

Тип канала

Тип N

Число контактов

7

Минимальная рабочая температура

-40°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

34 mm

Длина

94мм

Материал каски/сварочной маски

30мм

Информация о товаре

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.