IXYS IXYB82N120C3H1 IGBT, 164 A 1200 V, 3-Pin PLUS264, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
164 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
1,04 кВт
Тип корпуса
PLUS264
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
50кГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
20.29 x 5.31 x 26.59мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
164 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
1,04 кВт
Тип корпуса
PLUS264
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
50кГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
20.29 x 5.31 x 26.59мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.