IXYS, Type N-Channel IGBT Module, 320 A 600 V, 4-Pin SOT-227, Surface

Код товара RS: 168-4582Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXGN320N60A3
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

320A

Тип продукции

Модуль IGBT

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

735W

Корпус

SOT-227

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

4

Скорость переключения

5kHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

38.23мм

Материал каски/сварочной маски

9.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

Low-Frequency

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS, Type N-Channel IGBT Module, 320 A 600 V, 4-Pin SOT-227, Surface

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

IXYS, Type N-Channel IGBT Module, 320 A 600 V, 4-Pin SOT-227, Surface

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

320A

Тип продукции

Модуль IGBT

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

735W

Корпус

SOT-227

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

4

Скорость переключения

5kHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

38.23мм

Материал каски/сварочной маски

9.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

Low-Frequency

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.