IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 168-4412Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXGH30N120B3D1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

30

Доступно в кратности 1
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 1
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.