IXYS IXGH24N170 IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1700 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247AD
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.46мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 6 262,47
тг 6 262,47 Each (ex VAT)
1
тг 6 262,47
тг 6 262,47 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 6 262,47 |
| 5 - 19 | тг 6 137,31 |
| 20 - 49 | тг 5 261,19 |
| 50 - 99 | тг 5 153,91 |
| 100+ | тг 4 854,42 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1700 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247AD
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.46мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.