Infineon SGW30N60FKSA1 IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 911-4767Бренд: InfineonПарт-номер производителя: SGW30N60FKSA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

41 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.9 x 5.3 x 20.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Infineon Discrete IGBT Transistors

Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices include an anti-parallel diode or monolithically integrated diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon SGW30N60FKSA1 IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

Infineon SGW30N60FKSA1 IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

41 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.9 x 5.3 x 20.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Infineon Discrete IGBT Transistors

Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices include an anti-parallel diode or monolithically integrated diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.