Infineon SGD02N120 IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
6,2 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
62 Вт
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
6.5 x 6.22 x 2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 120 | P.O.A. |
| 125 - 495 | P.O.A. |
| 500 - 2495 | P.O.A. |
| 2500 - 12495 | P.O.A. |
| 12500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
6,2 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
62 Вт
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
6.5 x 6.22 x 2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C