Infineon IRGPS46160DPBF IGBT, 240 A 600 V, 3-Pin Super-247, Through Hole

Код товара RS: 879-3479PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IRGPS46160DPBF
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

240 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

750 Вт

Тип корпуса

Super-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

8 → 30кГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.1 x 5.5 x 20.8мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

500µJ

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Mexico

Информация о товаре

Single IGBT over 21A, Infineon

Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's

IGBT Transistors, International Rectifier

International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

P.O.A.

Infineon IRGPS46160DPBF IGBT, 240 A 600 V, 3-Pin Super-247, Through Hole
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRGPS46160DPBF IGBT, 240 A 600 V, 3-Pin Super-247, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

240 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

750 Вт

Тип корпуса

Super-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

8 → 30кГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.1 x 5.5 x 20.8мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

500µJ

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Mexico

Информация о товаре

Single IGBT over 21A, Infineon

Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's

IGBT Transistors, International Rectifier

International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.