Infineon IRGB14C40LPBF IGBT

Код товара RS: 864-0971Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRGB14C40LPBF
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

20 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

430 В

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1кГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.54 x 4.69 x 15.24мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

Automotive Ignition IGBT, Infineon

The IGBT is optimised for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems. Active voltage clamps on the IGBT Gate-Emitter and Gate-Collector are included in the semiconductor package.

IGBT Transistors, International Rectifier

International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IRGB14C40LPBF IGBT
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRGB14C40LPBF IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 95P.O.A.
100 - 245P.O.A.
250 - 495P.O.A.
500 - 995P.O.A.
1000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

20 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

430 В

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1кГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.54 x 4.69 x 15.24мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

Automotive Ignition IGBT, Infineon

The IGBT is optimised for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems. Active voltage clamps on the IGBT Gate-Emitter and Gate-Collector are included in the semiconductor package.

IGBT Transistors, International Rectifier

International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.