N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V, 3-Pin DPAK Infineon IRFR4620PBF

Код товара RS: 688-7046Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFR4620PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

24 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

78 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

144 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.39мм

Серия

HEXFET

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 3 397,20

тг 679,44 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V, 3-Pin DPAK Infineon IRFR4620PBF

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 397,20
10тг 6 794,40
15тг 10 191,60
20тг 13 588,80
25тг 8 604,75
30тг 10 325,70
35тг 12 046,65
40тг 13 767,60
45тг 15 488,55
50тг 16 762,50
55тг 18 438,75
60тг 20 115,00
65тг 21 791,25
70тг 23 467,50
75тг 25 143,75

тг 3 397,20

тг 679,44 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V, 3-Pin DPAK Infineon IRFR4620PBF

Информация о наличии не успела загрузиться

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 397,20
10тг 6 794,40
15тг 10 191,60
20тг 13 588,80
25тг 8 604,75
30тг 10 325,70
35тг 12 046,65
40тг 13 767,60
45тг 15 488,55
50тг 16 762,50
55тг 18 438,75
60тг 20 115,00
65тг 21 791,25
70тг 23 467,50
75тг 25 143,75

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 679,44тг 3 397,20
25 - 45тг 344,19тг 1 720,95
50 - 95тг 335,25тг 1 676,25
100 - 245тг 290,55тг 1 452,75
250+тг 281,61тг 1 408,05

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

24 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

78 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

144 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.39мм

Серия

HEXFET

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.