Dual N-Channel MOSFET, 8.7 A, 150 V, 5-Pin TO-220 Infineon IRFI4019H-117P
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
5
Максимальное сопротивление сток-исток
95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
18 Вт
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Ширина
4.83мм
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Серия
HEXFET
Информация о товаре
Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 075,36
тг 1 537,68 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
тг 3 075,36
тг 1 537,68 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 1 537,68 | тг 3 075,36 |
| 10 - 18 | тг 925,29 | тг 1 850,58 |
| 20 - 48 | тг 907,41 | тг 1 814,82 |
| 50 - 98 | тг 885,06 | тг 1 770,12 |
| 100+ | тг 835,89 | тг 1 671,78 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
5
Максимальное сопротивление сток-исток
95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
18 Вт
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Ширина
4.83мм
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Серия
HEXFET
Информация о товаре
Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.