Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonВыходной ток
350 mA
Напряжение питания
20V
Число контактов
28
Тип корпуса
SOIC
Количество выходов
6
Топология
Верхняя и нижняя сторона
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Независимый
Количество драйверов
6
Тип перемычки
Полумост
Полярность
Неинвертирующий
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Gate Drivers, Three-Phase, Infineon
A range of full-bridge drivers designed to control MOSFET and IGBT power devices in 3-phase applications. The devices feature a maximum blocking voltage of 600 V and low-side control using CMOS and TTL compatible signal levels.
MOSFET & IGBT Drivers, Infineon (International Rectifier)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonВыходной ток
350 mA
Напряжение питания
20V
Число контактов
28
Тип корпуса
SOIC
Количество выходов
6
Топология
Верхняя и нижняя сторона
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Независимый
Количество драйверов
6
Тип перемычки
Полумост
Полярность
Неинвертирующий
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Gate Drivers, Three-Phase, Infineon
A range of full-bridge drivers designed to control MOSFET and IGBT power devices in 3-phase applications. The devices feature a maximum blocking voltage of 600 V and low-side control using CMOS and TTL compatible signal levels.