Infineon IPD30N10S3L34ATMA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
OptiMOS-T
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
42 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
57 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 307,80
тг 330,78 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 3 307,80
тг 330,78 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 240 | тг 330,78 | тг 3 307,80 |
| 250 - 990 | тг 254,79 | тг 2 547,90 |
| 1000 - 4990 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
| 5000 - 24990 | тг 134,10 | тг 1 341,00 |
| 25000+ | тг 125,16 | тг 1 251,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
OptiMOS-T
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
42 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
57 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.