Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB65R110CFDAATMA1

Код товара RS: 222-4655Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB65R110CFDAATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

31.2 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS

Тип корпуса

PG-TO 263

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.11 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB65R110CFDAATMA1

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB65R110CFDAATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

31.2 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS

Тип корпуса

PG-TO 263

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.11 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний