Infineon IPB025N10N3GATMA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
OptiMOS 3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
4,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
9.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
155 нКл при 10 В
Высота
4.57мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 252,88
тг 2 252,88 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 252,88
тг 2 252,88 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 2 252,88 |
| 25 - 99 | тг 1 810,35 |
| 100 - 499 | тг 1 658,37 |
| 500 - 999 | тг 1 341,00 |
| 1000+ | тг 1 175,61 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
OptiMOS 3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
4,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
9.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
155 нКл при 10 В
Высота
4.57мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.