Infineon IPB019N08N3 G MOSFET

Код товара RS: 898-7003PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB019N08N3 G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

TO-263

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

3,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

155 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.57мм

Вас может заинтересовать
Infineon IPB025N10N3GATMA1 MOSFET
Infineon IPB025N10N3GATMA1 MOSFETБренд: Infineon
тг 2 252,88Each (ex VAT)

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon IPB019N08N3 G MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon IPB019N08N3 G MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
Infineon IPB025N10N3GATMA1 MOSFET
Infineon IPB025N10N3GATMA1 MOSFETБренд: Infineon
тг 2 252,88Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

TO-263

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

3,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

155 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.57мм

Вас может заинтересовать
Infineon IPB025N10N3GATMA1 MOSFET
Infineon IPB025N10N3GATMA1 MOSFETБренд: Infineon
тг 2 252,88Each (ex VAT)