Infineon IKZ75N65ES5XKSA1, P-Channel IGBT, 80 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 162-3334Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IKZ75N65ES5XKSA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

395 W

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

4

Скорость переключения

40кГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.9 x 5.1 x 22.5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

2.8

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Емкость затвора

4500пФ

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IKZ75N65ES5XKSA1, P-Channel IGBT, 80 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

P.O.A.

Infineon IKZ75N65ES5XKSA1, P-Channel IGBT, 80 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

395 W

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

4

Скорость переключения

40кГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.9 x 5.1 x 22.5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

2.8

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Емкость затвора

4500пФ