Infineon IKW50N60TFKSA1 IGBT

Код товара RS: 754-5409Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IKW50N60TFKSA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.03 x 21.1 x 5.16мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Информация о товаре

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

тг 2 690,94

тг 2 690,94 Each (ex VAT)

Infineon IKW50N60TFKSA1 IGBT
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 690,94
2тг 5 381,88
3тг 8 072,82
4тг 10 763,76
5тг 13 454,70
6тг 16 145,64
7тг 18 836,58
8тг 21 527,52
9тг 24 218,46
10тг 26 909,40
11тг 29 600,34
12тг 32 291,28
13тг 34 982,22
14тг 37 673,16
15тг 40 364,10

тг 2 690,94

тг 2 690,94 Each (ex VAT)

Infineon IKW50N60TFKSA1 IGBT

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 690,94
2тг 5 381,88
3тг 8 072,82
4тг 10 763,76
5тг 13 454,70
6тг 16 145,64
7тг 18 836,58
8тг 21 527,52
9тг 24 218,46
10тг 26 909,40
11тг 29 600,34
12тг 32 291,28
13тг 34 982,22
14тг 37 673,16
15тг 40 364,10

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 690,94
25 - 99тг 2 208,18
100 - 239тг 2 024,91
240 - 479тг 1 989,15
480+тг 1 828,23

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.03 x 21.1 x 5.16мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Информация о товаре

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.