Infineon IKD10N60RFATMA1 IGBT 600 V PG-TO252-3

Код товара RS: 258-1003Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IKD10N60RFATMA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

PG-TO252-3

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

Infineon IKD10N60RFATMA1 IGBT 600 V PG-TO252-3

2500

Доступно в кратности 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

Infineon IKD10N60RFATMA1 IGBT 600 V PG-TO252-3
Информация о наличии не успела загрузиться

2500

Доступно в кратности 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

PG-TO252-3