Infineon IKB06N60TATMA1 IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
88 Вт
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.31 x 9.45 x 4.57мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1000 - 1000 | P.O.A. |
| 2000 - 4000 | P.O.A. |
| 5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
88 Вт
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.31 x 9.45 x 4.57мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.