Infineon IFF450B12ME4PB11BPSA1 Dual IGBT Module, 450 A 1200 V ECONOD

Код товара RS: 218-4385Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IFF450B12ME4PB11BPSA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

450 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

2

Тип корпуса

ECONOD

Конфигурация

Двойной

Тип канала

N

Конфигурация транзистора

Двойной

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IFF450B12ME4PB11BPSA1 Dual IGBT Module, 450 A 1200 V ECONOD

6

Доступно в кратности 6
6P.O.A.
12P.O.A.
18P.O.A.
24P.O.A.
30P.O.A.
36P.O.A.
42P.O.A.
48P.O.A.
54P.O.A.
60P.O.A.
66P.O.A.
72P.O.A.
78P.O.A.
84P.O.A.
90P.O.A.

P.O.A.

Infineon IFF450B12ME4PB11BPSA1 Dual IGBT Module, 450 A 1200 V ECONOD
Информация о наличии не успела загрузиться

6

Доступно в кратности 6
6P.O.A.
12P.O.A.
18P.O.A.
24P.O.A.
30P.O.A.
36P.O.A.
42P.O.A.
48P.O.A.
54P.O.A.
60P.O.A.
66P.O.A.
72P.O.A.
78P.O.A.
84P.O.A.
90P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

450 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

2

Тип корпуса

ECONOD

Конфигурация

Двойной

Тип канала

N

Конфигурация транзистора

Двойной