Infineon IDH05G120C5XKSA1 Диод
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-220
Максимальный непрерывный прямой ток
19.1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
1200V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип диода
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Число контактов
2 + Tab
Максимальное падение прямого напряжения
2.6V
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
59A
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
thinQ! Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon
The Infineon thinQ!™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The SiC Schottky Diode devices offer advantageous high voltage power semiconductor features such as higher breakdown field strength and improved thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This latest generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.
Diodes and Rectifiers, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
500
P.O.A.
500
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-220
Максимальный непрерывный прямой ток
19.1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
1200V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип диода
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Число контактов
2 + Tab
Максимальное падение прямого напряжения
2.6V
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
59A
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
thinQ! Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon
The Infineon thinQ!™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The SiC Schottky Diode devices offer advantageous high voltage power semiconductor features such as higher breakdown field strength and improved thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This latest generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.