Infineon FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 IGBT Module 650 V EasyPACK 2B, Through Hole

Код товара RS: 201-2805Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20.0V

Количество транзисторов

12

Тип корпуса

EasyPack 2B

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 IGBT Module 650 V EasyPACK 2B, Through Hole

15

Доступно в кратности 15
15P.O.A.
30P.O.A.
45P.O.A.
60P.O.A.
75P.O.A.
90P.O.A.
105P.O.A.
120P.O.A.
135P.O.A.
150P.O.A.
165P.O.A.
180P.O.A.
195P.O.A.
210P.O.A.
225P.O.A.

P.O.A.

Infineon FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 IGBT Module 650 V EasyPACK 2B, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться

15

Доступно в кратности 15
15P.O.A.
30P.O.A.
45P.O.A.
60P.O.A.
75P.O.A.
90P.O.A.
105P.O.A.
120P.O.A.
135P.O.A.
150P.O.A.
165P.O.A.
180P.O.A.
195P.O.A.
210P.O.A.
225P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20.0V

Количество транзисторов

12

Тип корпуса

EasyPack 2B

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N