Infineon FS30R06W1E3B11BOMA1 Common Collector IGBT Module, 45 A 600 V, 22-Pin EASY1B, PCB Mount
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
45 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип корпуса
EASY1B
Конфигурация
Общий коллектор
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
22
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Размеры
48 x 33.8 x 12мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 5 | P.O.A. |
| 6 - 11 | P.O.A. |
| 12 - 23 | P.O.A. |
| 24 - 47 | P.O.A. |
| 48+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
45 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип корпуса
EASY1B
Конфигурация
Общий коллектор
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
22
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Размеры
48 x 33.8 x 12мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.