Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1 Half Bridge IGBT, 600 A 750 V, Screw Mount

Код товара RS: 349-029Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FS1150R08A8P3LMCHPSA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

600 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

750 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

6

Максимальное рассеяние мощности

1 кВт

Конфигурация

Полумост

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Тип канала

N

Страна происхождения

Germany

P.O.A.

Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1 Half Bridge IGBT, 600 A 750 V, Screw Mount

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1 Half Bridge IGBT, 600 A 750 V, Screw Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

600 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

750 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

6

Максимальное рассеяние мощности

1 кВт

Конфигурация

Полумост

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Тип канала

N

Страна происхождения

Germany