Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Максимальное рассеяние мощности
20 mW
Количество транзисторов
7
Тип корпуса
EASY2B
Тип канала
N
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Infineon FP50R12KT4PBPSA1 IGBT Module, 50 A 1200 V EASY2B
10
P.O.A.
Infineon FP50R12KT4PBPSA1 IGBT Module, 50 A 1200 V EASY2B
Информация о наличии не успела загрузиться
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Максимальное рассеяние мощности
20 mW
Количество транзисторов
7
Тип корпуса
EASY2B
Тип канала
N