Infineon FP40R12KE3BOSA1 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Число контактов
24
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток коллектора
55 A
Конфигурация
3-фазный мост
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное рассеяние мощности
210 Вт
Brand
InfineonТип корпуса
EconoPIM2
Размеры
107.5 x 45 x 17мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Число контактов
24
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток коллектора
55 A
Конфигурация
3-фазный мост
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное рассеяние мощности
210 Вт
Brand
InfineonТип корпуса
EconoPIM2
Размеры
107.5 x 45 x 17мм