Infineon FP25R12W1T7B11BPSA1 IGBT Module, 25 A 1200 V EASY1B

Код товара RS: 218-4349Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FP25R12W1T7B11BPSA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

25 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

7

Тип корпуса

EASY1B

Тип канала

N

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon FP25R12W1T7B11BPSA1 IGBT Module, 25 A 1200 V EASY1B

24

Доступно в кратности 24
24P.O.A.
48P.O.A.
72P.O.A.
96P.O.A.
120P.O.A.
144P.O.A.
168P.O.A.
192P.O.A.
216P.O.A.
240P.O.A.
264P.O.A.
288P.O.A.
312P.O.A.
336P.O.A.
360P.O.A.

P.O.A.

Infineon FP25R12W1T7B11BPSA1 IGBT Module, 25 A 1200 V EASY1B
Информация о наличии не успела загрузиться

24

Доступно в кратности 24
24P.O.A.
48P.O.A.
72P.O.A.
96P.O.A.
120P.O.A.
144P.O.A.
168P.O.A.
192P.O.A.
216P.O.A.
240P.O.A.
264P.O.A.
288P.O.A.
312P.O.A.
336P.O.A.
360P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

25 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

7

Тип корпуса

EASY1B

Тип канала

N