Infineon FP10R12W1T4B11BOMA1 Common Collector IGBT Module, 20 A 1200 V, 23-Pin EASY1B, PCB Mount
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
20 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
105 W
Тип корпуса
EASY1B
Конфигурация
Общий коллектор
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
23
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Размеры
48 x 33.8 x 12мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 13 602,21
тг 13 602,21 Each (ex VAT)
1
тг 13 602,21
тг 13 602,21 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 5 | тг 13 602,21 |
| 6 - 11 | тг 12 864,66 |
| 12 - 23 | тг 12 721,62 |
| 24 - 47 | тг 11 452,14 |
| 48+ | тг 11 000,67 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
20 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
105 W
Тип корпуса
EASY1B
Конфигурация
Общий коллектор
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
23
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Размеры
48 x 33.8 x 12мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.