Infineon 4Mbit Parallel FRAM Memory 44-Pin TSOP, FM22L16-55-TG

Код товара RS: 125-4206Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FM22L16-55-TG
brand-logo
View all in Память FRAM

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Объем памяти

4Мбит

Организация

256К x 16 бит

Тип интерфейса

Параллельный

Максимальное время произвольного доступа

55нс

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Число контактов

44

Размеры

18.51 x 10.26 x 1.04мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Количество бит на слово

16бит

Количество слов

256k

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Информация о товаре

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon 4Mbit Parallel FRAM Memory 44-Pin TSOP, FM22L16-55-TG
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Infineon 4Mbit Parallel FRAM Memory 44-Pin TSOP, FM22L16-55-TG
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Объем памяти

4Мбит

Организация

256К x 16 бит

Тип интерфейса

Параллельный

Максимальное время произвольного доступа

55нс

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Число контактов

44

Размеры

18.51 x 10.26 x 1.04мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Количество бит на слово

16бит

Количество слов

256k

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Информация о товаре

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.