Infineon FF600R12ME4B72BOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V, 11-Pin ECONODUAL

Код товара RS: 218-4340Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF600R12ME4B72BOSA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

600 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Количество транзисторов

2

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Тип корпуса

ECONODUAL

Конфигурация

Двойной

Тип канала

N

Число контактов

11

Конфигурация транзистора

Двойной

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon FF600R12ME4B72BOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V, 11-Pin ECONODUAL

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Infineon FF600R12ME4B72BOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V, 11-Pin ECONODUAL
Информация о наличии не успела загрузиться

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

600 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Количество транзисторов

2

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Тип корпуса

ECONODUAL

Конфигурация

Двойной

Тип канала

N

Число контактов

11

Конфигурация транзистора

Двойной