Infineon FF600R12KT4HOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V AG-62MM
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
600 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Количество транзисторов
2
Тип корпуса
AG-62MM
Конфигурация
Двойной
Тип канала
N
Конфигурация транзистора
Серия
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tray of 10) (ex VAT)
Infineon FF600R12KT4HOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V AG-62MM
10
P.O.A.
Each (In a Tray of 10) (ex VAT)
Infineon FF600R12KT4HOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V AG-62MM
Информация о наличии не успела загрузиться
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
600 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Количество транзисторов
2
Тип корпуса
AG-62MM
Конфигурация
Двойной
Тип канала
N
Конфигурация транзистора
Серия