Infineon FF600R12KE4EBOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 7-Pin 62 mm
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
600 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Максимальное рассеяние мощности
20 mW
Количество транзисторов
2
Тип корпуса
62 mm
Конфигурация
Общий эмиттер
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
600 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Максимальное рассеяние мощности
20 mW
Количество транзисторов
2
Тип корпуса
62 mm
Конфигурация
Общий эмиттер
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер