Infineon FF600R12KE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-62MM

Код товара RS: 222-4793Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF600R12KE4BOSA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

600 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Максимальное рассеяние мощности

1.2 kW

Тип корпуса

AG-62MM

Конфигурация

Двойной

Тип канала

N

Конфигурация транзистора

Общий эмиттер

P.O.A.

Each (In a Tray of 10) (ex VAT)

Infineon FF600R12KE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-62MM

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tray of 10) (ex VAT)

Infineon FF600R12KE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-62MM

Информация о наличии не успела загрузиться

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

600 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Максимальное рассеяние мощности

1.2 kW

Тип корпуса

AG-62MM

Конфигурация

Двойной

Тип канала

N

Конфигурация транзистора

Общий эмиттер