Infineon FF300R12ME4B11BPSA1 Series IGBT Module, 450 A 1200 V, 11-Pin ECONOD, PCB Mount
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
450 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
1,6 кВт
Тип корпуса
ECONOD
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
11
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
122.5 x 62.5 x 17мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 61 386,51
тг 61 386,51 Each (ex VAT)
1
тг 61 386,51
тг 61 386,51 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 61 386,51 |
| 2 - 3 | тг 60 193,02 |
| 4 - 5 | тг 59 026,35 |
| 6 - 11 | тг 57 882,03 |
| 12+ | тг 56 755,59 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
450 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
1,6 кВт
Тип корпуса
ECONOD
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
11
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
122.5 x 62.5 x 17мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.