Infineon FF1200R12IE5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.2 kA 1200 V, 10-Pin PRIME2

Код товара RS: 218-4320Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF1200R12IE5PBPSA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,2 кА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

2

Тип корпуса

PRIME2

Конфигурация

Двойной

Тип канала

N

Число контактов

10

Конфигурация транзистора

Двойной

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon FF1200R12IE5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.2 kA 1200 V, 10-Pin PRIME2

3

Доступно в кратности 3
3P.O.A.
6P.O.A.
9P.O.A.
12P.O.A.
15P.O.A.
18P.O.A.
21P.O.A.
24P.O.A.
27P.O.A.
30P.O.A.
33P.O.A.
36P.O.A.
39P.O.A.
42P.O.A.
45P.O.A.

P.O.A.

Infineon FF1200R12IE5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.2 kA 1200 V, 10-Pin PRIME2
Информация о наличии не успела загрузиться

3

Доступно в кратности 3
3P.O.A.
6P.O.A.
9P.O.A.
12P.O.A.
15P.O.A.
18P.O.A.
21P.O.A.
24P.O.A.
27P.O.A.
30P.O.A.
33P.O.A.
36P.O.A.
39P.O.A.
42P.O.A.
45P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,2 кА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

2

Тип корпуса

PRIME2

Конфигурация

Двойной

Тип канала

N

Число контактов

10

Конфигурация транзистора

Двойной