Infineon FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel Mount

Код товара RS: 273-7369Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FD200R12KE3HOSA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

295 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/-20V

Максимальное рассеяние мощности

1,05 кВт

Тип корпуса

Module

Тип монтажа

Монтаж на панель

P.O.A.

Infineon FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel Mount

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Infineon FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

295 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/-20V

Максимальное рассеяние мощности

1,05 кВт

Тип корпуса

Module

Тип монтажа

Монтаж на панель