Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТопология силового переключателя
Нижняя сторона
Тип силового переключателя
Переключатель нижнего плеча
Сопротивление переключателя во включенном состоянии
700мОм
Максимальное рабочее напряжение питания
42 В
Количество выходов
1
Максимальный рабочий ток
0.35A
Номинальная мощность
0.78W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-223
Число контактов
3 + Tab
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
HITFET Smart Low-Side Power Switch, Infineon
The HITFET Automotive Smart Low-Side Switch Series offers built in protection against ESD, over-temperature, short circuit and overload conditions. The HITFET family has switch on resistance up to 480 milliohm and can be scaled in RDSon.
тг 10 504,50
тг 210,09 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 10 504,50
тг 210,09 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 210,09 | тг 10 504,50 |
| 250 - 450 | тг 134,10 | тг 6 705,00 |
| 500 - 700 | тг 120,69 | тг 6 034,50 |
| 750 - 950 | тг 116,22 | тг 5 811,00 |
| 1000+ | тг 111,75 | тг 5 587,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТопология силового переключателя
Нижняя сторона
Тип силового переключателя
Переключатель нижнего плеча
Сопротивление переключателя во включенном состоянии
700мОм
Максимальное рабочее напряжение питания
42 В
Количество выходов
1
Максимальный рабочий ток
0.35A
Номинальная мощность
0.78W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-223
Число контактов
3 + Tab
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
HITFET Smart Low-Side Power Switch, Infineon
The HITFET Automotive Smart Low-Side Switch Series offers built in protection against ESD, over-temperature, short circuit and overload conditions. The HITFET family has switch on resistance up to 480 milliohm and can be scaled in RDSon.
