Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6327XTSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
540 мА
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Серия
OptiMOS
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
825 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,7 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 6 705,00
тг 26,82 Each (On a Reel of 250) (ex VAT)
250
тг 6 705,00
тг 26,82 Each (On a Reel of 250) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
250
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Катушка |
|---|---|---|
| 250 - 750 | тг 26,82 | тг 6 705,00 |
| 1000 - 2750 | тг 26,82 | тг 6 705,00 |
| 3000 - 5750 | тг 17,88 | тг 4 470,00 |
| 6000+ | тг 17,88 | тг 4 470,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
540 мА
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Серия
OptiMOS
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
825 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,7 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.