Infineon BSP62H6327XTSA1 PNP Darlington Pair, 1 A 80 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223

Код товара RS: 752-8209Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSP62H6327XTSA1
brand-logo
View all in Составные транзисторы Дарлингтона

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,8 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10мкА

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Ширина

3.5мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BSP62H6327XTSA1 PNP Darlington Pair, 1 A 80 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Infineon BSP62H6327XTSA1 PNP Darlington Pair, 1 A 80 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Информация о наличии не успела загрузиться

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
10 - 240P.O.A.
250 - 990P.O.A.
1000 - 4990P.O.A.
5000 - 9990P.O.A.
10000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,8 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10мкА

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Ширина

3.5мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм