Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,2 В
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,8 В
Максимальный запирающий ток коллектора
10мкА
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Высота
1.6мм
Ширина
3.5мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Информация о товаре
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
10 - 240 | P.O.A. |
250 - 990 | P.O.A. |
1000 - 4990 | P.O.A. |
5000 - 9990 | P.O.A. |
10000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,2 В
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,8 В
Максимальный запирающий ток коллектора
10мкА
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Высота
1.6мм
Ширина
3.5мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Информация о товаре