Infineon BSP60H6327XTSA1 PNP Darlington Transistor, 1 A 45 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223

Код товара RS: 752-8205Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSP60H6327XTSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,8 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10мкА

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Ширина

3.5мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 983,40

тг 98,34 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon BSP60H6327XTSA1 PNP Darlington Transistor, 1 A 45 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Select packaging type

тг 983,40

тг 98,34 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon BSP60H6327XTSA1 PNP Darlington Transistor, 1 A 45 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 240тг 98,34тг 983,40
250 - 990тг 75,99тг 759,90
1000 - 4990тг 67,05тг 670,50
5000 - 9990тг 58,11тг 581,10
10000+тг 53,64тг 536,40

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,8 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10мкА

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Ширина

3.5мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon