Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 40 mA, 4 V, 4-Pin TSLP-3-9

Код товара RS: 219-5958Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BFR740L3RHE6327XTSA1
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

40 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

4 В

Тип корпуса

TSLP-3-9

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 40 mA, 4 V, 4-Pin TSLP-3-9

15000

Доступно в кратности 15000
15000P.O.A.
30000P.O.A.
45000P.O.A.
60000P.O.A.
75000P.O.A.
90000P.O.A.
105000P.O.A.
120000P.O.A.
135000P.O.A.
150000P.O.A.
165000P.O.A.
180000P.O.A.
195000P.O.A.
210000P.O.A.
225000P.O.A.

P.O.A.

Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 40 mA, 4 V, 4-Pin TSLP-3-9
Информация о наличии не успела загрузиться

15000

Доступно в кратности 15000
15000P.O.A.
30000P.O.A.
45000P.O.A.
60000P.O.A.
75000P.O.A.
90000P.O.A.
105000P.O.A.
120000P.O.A.
135000P.O.A.
150000P.O.A.
165000P.O.A.
180000P.O.A.
195000P.O.A.
210000P.O.A.
225000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

40 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

4 В

Тип корпуса

TSLP-3-9

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4