Infineon BFR360FH6327XTSA1 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
35 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
6 В
Тип корпуса
TSFP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
210 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
14 ГГц
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.2 x 0.8 x 0.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
35 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
6 В
Тип корпуса
TSFP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
210 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
14 ГГц
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.2 x 0.8 x 0.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре