Infineon BFR193WH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-323

Код товара RS: 826-9364Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BFR193WH6327XTSA1
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

80 mA

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

580 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

8 ГГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

2 x 1.25 x 0.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BFR193WH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-323
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Infineon BFR193WH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-323
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
100 - 400P.O.A.
500 - 900P.O.A.
1000 - 1400P.O.A.
1500 - 2900P.O.A.
3000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

80 mA

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

580 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

8 ГГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

2 x 1.25 x 0.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon